电缆MSLYFVZ-50-9执行标准《煤矿用阻燃通信电缆检测细则》

电缆MSLYFVZ-50-9使用特性1、使用频率：1GHz以下2、使用环境温度：-25℃~70℃3、敷设温度： 不低于0℃4、弯曲半径： 不小于电缆外径的15倍。
5、本产品具有低衰减、低驻波比及不错的水密性、气密性、阻燃性等特点。

电缆MSLYFVZ-50-9产品名称、型号型号规格 产品名称MSLYFYVZ-75-9 煤矿用漏泄同轴电缆 （匹配阻抗75Ω）MSLYFYVZ-50-9 煤矿用漏泄同轴电缆 （匹配阻抗50Ω）

电缆MSLYFVZ-50-9电缆主要技术指标产品型号、主要结构数据及性能参数单位 产品型号规格 MSLYFYVZ-75-9 MSLYFYVZ-50-9结构尺寸 圆铜线内导体 mm 2.0 3.5 物理发泡聚绝缘 mm 8.8 8.8 平行导线栅型外导体 mm 10 10 黑色聚内护层 mm 12.5 12.5 颜色聚氯外护套 mm 14.5 14.5电气性能 耐电压（A.C） V/min 1500/1 1500/1 20℃绝缘电阻 MΩ?km 特性阻抗 Ω 75±3 50±3 衰减常数 60MHz dB/km ≤40 ≤45 150MHz dB/km ≤55 ≤60 电压驻波比 60~150MHz ≤1.5 ≤1.5 耦合损耗 60MHz dB 80±10 85±10 150MHz dB 80±10 75±10

主要用于存储程序中的变量。
在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。
SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。
除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。
DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。
将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。
（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。




其优点在于具有四象限运行能力，可以制动。
需要特别说明的是，该类变频器由于较低的输入功率因数和较高的输入输出谐波，故需要在其输入输出侧安装高压自愈电容。
高电压型变频器电路结构采用IG直接串联技术，也叫直接器件串联型高压变频器。
其在直流环节使用高压电容进行滤波和储能，输出电压可达6KV，其优点是可以采用较低耐压的功率器件，串联桥臂上的所有IG作用相同，能够实现互为备用，或者进行冗余设计。
缺点是电平数较低，仅为两电平，输出电压dV/dt也较大，需要采用特种电动机或整加高压正弦波滤波器，其成本会增加许多。